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2018年初级药师考试模拟试题(12)_第5页

来源:考试网    2017-08-17   【

41.平氏黏度计适于测定

A.牛顿流体黏度

B.非牛顿流体黏度

C.高聚物的黏度

D.混悬液的黏度

E.表面活性剂的黏度

正确答案:A 解题思路:平氏黏度计适用于牛顿流体黏度的测定;乌氏黏度计适用于高聚合物溶液的特性黏数[η]的测定;旋转式黏度计适用于

非牛顿流体的黏度测定。

42.用氢氧化钠滴定液(0.1000mol/L)滴定20.00ml醋酸溶液(0.1000mol/L)。化学计量点的pH值为

A.8.72

B.7.00

C.5.27

D.4.30

E.3.50

正确答案:A 解题思路:用NaOH溶液(0.1000mol/L)滴定20mlHAc溶液(0.1000mol/L)时,化学计量点的pH值的计算为:

=5.33×10 (mol/L)pOH=-lg[OH ]=-lg5.33×10 =5.27故pH=14-pOH=14-5.27=8.73。

43.酸性染料比色法测定生物碱类药物的含量时。水相的pH值过低。则

A.生物碱游离析出

B.有机溶剂提取能完全

C.酸性染料以阴离子状态存在

D.生物碱几乎全部以分子状态存在

E.酸性染料以分子状态存在

正确答案:E 解题思路:酸性染料比色法亦称离子对比色法,其原理为:在一定的pH值溶液中,酸性染料离解出适量的阴离子(酸性染料为有机

弱酸),被测药物生成阳离子(盐),此时阴离子(酸根离子)与阳离子(盐)结合成可溶于有机溶剂的有颜色离子对,分离含有离子对的有机溶剂,

于一定的波长处测定吸光度(A)并计算含量。因此,若水溶液的pH值过低,即[H ]过高时,酸性染料离解减少,所产生的酸性染料阴离子(酸

根离子)就少,多呈分子状态存在。若此时进行测定,则会产生很大的负误差,即测得结果很低。

44.《中国药典》规定"精密称定"时,系指重量应准确至在所取重量的

A.百分之一

B.千分之一

C.万分之一

D.百分之十

E.千分之三

正确答案:B 解题思路:《中国药典》(2010年版)凡例部分收载的"精密度"项下规定:精密称定系指称取重量应准确至所取重量的千分之一。精

密量取系指量取体积的准确度应符合国家标准中对该体积移液管的精密度要求。

45.滴定分析中,指示剂的颜色变化点应称为

A.化学计量点

B.滴定分析

C.滴定等当点

D.滴定终点

E.滴定误差

正确答案:D 解题思路:在滴定分析中,滴定反应进行完全的一点,称为化学计量点,但这一点在实际工作中是很难测知的,一般用合适的指示

剂或其他合适的方法来判断滴定反应完全点,这一点应在化学计量点附近(0.1%),称为滴定终点。

46.E

A.比吸收系数

B.比旋度

C.折光率

D.熔点

E.沸点

正确答案:A 解题思路:Lamben-Beer定律A=E·C·L中的E为吸收系数,是物质的物理常数,随浓度C的不同,吸收系数有不同的意义和表示方

法。当C以mol/L为单位时,E称为摩尔吸收系数,用ε表示;当C用g/100ml为单位时,E称为比吸收系数(百分吸收系数),用E 表示,简称吸

收系数,其物理意义是当吸光物质溶液浓度为1%(1g/100ml),液层厚度为1cm时,在一定条件(波长、溶剂、温度)下的吸光度。

47.晶型沉淀的沉淀作用在热溶液中进行,可

A.有利于小晶核的形成

B.增加相对过饱和度

C.使沉淀的溶解度减小

D.减少杂质的吸附作用

E.有利胶体形成

正确答案:D 解题思路:品型沉淀的条件为:在稀溶液条件下,不断进行搅拌并在热溶液中进行沉淀,沉淀完成后,应进行陈化。故晶型沉淀的

沉淀条件简化为稀、热、搅、陈。在热溶液中进行沉淀的目的在于增加沉淀的溶解度,降低相对过饱和度,有利于大颗粒晶体的形成,从而减少

杂质的吸附作用。

48.表示分析法测量的重复性

A.精密度

B.准确度

C.定量限

D.相对误差

E.偶然误差

正确答案:A 解题思路:分析方法的重复性系指在相同的测试条件下,由同一分析人员测定所得结果的精密度。而重现性则为在不同测试条件

(地区、实验室、仪器、试剂等)下,由不同的分析人员测定所得结果的精密度。法定标准所用方法应进行重现性实验。

49.《中国药典》所指的"称定",系指称取重量应准确至所取重量的

A.百分之一

B.千分之一

C.万分之一

D.十万分之一

E.百万分之一

正确答案:A 解题思路:《中国药典》凡例中规定"称定"系指称取重量应准确至所取重量的百分之一。

50.X射线衍射的布拉格方程中,d(hkl)为

A.某一点阵面的晶面间距

B.X射线的波长

C.衍射角

D.衍射强度

E.晶格中相邻的两质点之间的距离

正确答案:A 解题思路:X射线粉末衍射法中的布拉格方程为d(hkl)=nλ/2sinθ,d(hkl)为某一点阵面的晶面距离。

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